gallium arsenide (gaas) câu

• Gallium arsenide material (GaAs) is used
  Vật liệu Gallium Arsenide (GaAs)
• LED development began with infrared and red devices made with gallium arsenide (GaAs) alloys.
  Phát triển LED bắt đầu với các thiết bị hồng ngoại và màu đỏ được thực hiện với gallium arsenide.
• In 1955, American radio company Rubin Braunstein discovered the infrared radiation of gallium arsenide (GaAs) and other semiconductor alloys.
  Năm 1955, Rubin Brauntein phát hiện phát xạ hồng ngoại từ chất GaAs (Gallium và Arsenide) cùng một vài chất bán dẫn khác.
• Gallium Arsenide (GaAs) is a compound semiconductor: a mixture of two elements, Gallium (Ga) and Arsenic (As).
  Ghi chú: GaAs (Gallium arsenide) là một loại vật liệu bán dẫn hợp chất, một hỗn hợp của hai yếu tố, gali (Ga) và asen (As).
• This type of light sources include 850nm LEDs and 850nm semiconductor lasers which are made from gallium arsenide (GaAs) and gallium-aluminum arsenide (GaAlAs).
  Đây là loại nguồn sáng bao gồm đèn LED 850nm và 850nm laser bán dẫn được làm từ gallium arsenide (GaAs) và gallium arsenide-nhôm (GaAlAs).
• This type of light sources include 850nm LEDs and 850nm semiconductor lasers which are made from gallium arsenide (GaAs) and gallium-aluminum arsenide (GaAlAs).
  Đây là loại nguồn sáng bao gồm đèn LED 850nm và 850nm laser bán dẫn được làm từ gallium arsenide (GaAs) và gallium arsenide-nhôm (GaAlAs).
• By contrast, Rogers' group uses the established semiconductor gallium arsenide (GaAs) and conventional metals for diodes and detectors.
  Ngược lại, nhóm của Rogers sử dụng tổ hợp chất bán dẫn gallium-arsenide (GaAs) và các kim loại thông thường cho các điốt và các detector.
• In the fall of 1965, while working at Texas Instruments Inc. in Dallas, TX, James R. Biard and Gary Pittman found that gallium arsenide (GaAs) emitted infrared light when electric current was applied.
  Vào cuối năm 1961, trong khi làm việc tại Texas Instruments Inc tại Dallas, TX, James R. Biard và Gary Pittman thấy rằng gallium arsenide (GaAs) phát ra ánh
• In the fall of 1965, while working at Texas Instruments Inc. in Dallas, TX, James R. Biard and Gary Pittman found that gallium arsenide (GaAs) emitted infrared light when electric current was applied.
  Vào cuối năm 1961, trong khi làm việc tại Texas Instruments Inc tại Dallas, TX, James R. Biard và Gary Pittman thấy rằng gallium arsenide (GaAs) phát ra ánh
• In the fall of 1961, while working at Texas Instruments Inc. in Dallas, TX, James R. Biard and Gary Pittman found that gallium arsenide (GaAs) emitted infrared light when electric current was applied.
  Vào cuối năm 1961, trong khi làm việc tại Texas Instruments Inc tại Dallas, TX, James R. Biard và Gary Pittman thấy rằng gallium arsenide (GaAs) phát ra ánh
• In the fall of 1961, while working at Texas Instruments Inc. in Dallas, TX, James R. Biard and Gary Pittman found that gallium arsenide (GaAs) emitted infrared light when electric current was applied.
  Vào cuối năm 1961, trong khi làm việc tại Texas Instruments Inc tại Dallas, TX, James R. Biard và Gary Pittman thấy rằng gallium arsenide (GaAs) phát ra ánh
• Silicon offers too much resistance for microwave-frequency circuits, and so the compound gallium arsenide (GaAs) is often used for MMICs.
  Silicon cung cấp quá nhiều điện trở cho các mạch tần số vi sóng, và vì vậy hợp chất gallium arsenide (GaAs) thường được sử dụng cho MMIC.
• Silicon offers too much resistance for microwave-frequency circuits, and so the compound gallium arsenide (GaAs) is often used for MMICs.
  Silicon cung cấp quá nhiều điện trở cho các mạch tần số vi sóng, và vì vậy hợp chất gallium arsenide (GaAs) thường được sử dụng cho MMIC.
• Silicon offers too much resistance for microwave-frequency circuits, and so the compound gallium arsenide GaAs is often used for MMICs.
  Silicon cung cấp quá nhiều điện trở cho các mạch tần số vi sóng, và vì vậy hợp chất gallium arsenide (GaAs) thường được sử dụng cho MMIC.